在过去的两篇文章中，我们分别介绍了Coolsic™MOSFET G2的产品特性和传导特性。今天，我们将在两种软开关和硬开关的情况下检查如何选择Coolsic™MOSFET G2。本文指出：除了r ds（ON）外，损失的转移在选择SIC MOSFET中也起着非常重要的作用。由于SIC通常以非常高的移动频率工作，尤其是在硬开关拓扑中，因此失去转移的损失可能占60％以上。目前，使用具有较低传输损失而不是G1的G2将获得系统的明确优势。让我们看一下MPPT增压电路的模拟。仿真电路：26A MPPT模拟条件：模拟的边界条件设置为T VJ，MAX 140℃，G2允许连续Na温度的连续温度运行，并过多上载的连接温度为200℃/100H，在这里留下相对较大的余量。使用40MΩG1为了比较G2至40MΩ和53MΩ，我们可以看到40MΩG2的总损耗与40MΩG1相同，并且连接温度约为1.9℃（112.1℃-124℃）。如果使用了53MΩG2，则损耗显着增加，连接温度升高至141.4°C，但G2允许较小的门电阻，如果RG降低至2.3Ω（建议的数据值量），则53MΩG2连接温度将降低至137.1°C C. 32A MPPT损失34m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1和40m g1相同。如果更换了40MΩG2，则连接温度将增加约8℃。但是，升高的连接温度可能是降低对栅极驱动RG的阻力的支付。将RG从4.7Ω降低到2.3Ω，40MΩG2的连接温度将降低至139.4°C，非常接近40MΩG1。通过审查MPPT系统的模拟，我们可以看到，在硬转移系统中，帐户转移到了高比例的损失和低比例的传导损失，G2替换方法的G1取决于不同的情况：1在特定条件下（例如26A MPPT），可以更换相同的在上班时间温度。如果34MΩG2代替40MΩG1，则可以降低系统损耗和设备温度，从而增加电密度并减少冷却要求。在某些情况下，例如具有较高电流的MPPT或降压较低的G2，可用于用一年级的RDSON替换G1。例如，在32A MPPT时，34MΩG2可用于替换40MΩG1。较低的门电阻也可以用于G2减少损失，在这种情况下，40MΩG2可用于替换40MΩG1。软开关拓扑中的G2应用在软开关拓扑中，例如LLC，因为可以意识到打开零电压，因此电源设备仅在损失和损坏中，但没有减少。因此，对于有限责任公司，损失了更大比例的传导。类似于the standard operating conditions of 20kw LLC: ■ MOSFET: IMZC120R034M2H / IMZA120R040M1H, 4 and ■ Maximum output power, P O, Max: 20KW ■ Resonant Frequency F R: 100KHZ ■ DC Input Voltage, V In: 800V ■ DC Output Voltage, V Out: 300V ■ 800V ■ DC Output Voltage电压，V OUT：300V■DC输出电压电压，V OUT：时间，DT：300NS仿真结果：从模拟结果，可以看到大量总损耗的大量传导损失。因此，使用IMZC120R034M2H而不是IMZA120R040M1H可以将损失和连接温度保持在同一水平。 IMZC120R026M2H而不是IMZA120R030M1H可以降低连接温度3℃。因此，在拓扑的软转移中，建议使用抗抗性略低的G2以较高的电阻替代G1。以下是TO-247-4软件包中的G2选择表以供参考：摘要R DS（ON）是SIC MOSFET综述中的重要考虑因素，但这不是唯一的参数。在选择Coolsic™MOSFET G2产品时，您不能仅依靠R ds（ON）在室温下的值，而应妥协的因素，例如电路拓扑，传输频率和散热条件。最好通过模拟确定最终选择。
